AppleInsider10月23日曾报导，苹果支援社群(Support Communities)论坛最近有多名用户重复抱怨iPhone 6 Plus系统崩溃、或不断重开机的问题，目前还不清楚故障的原因为何，有人已经因此连换四支iPhone 6 Plus。

根据韩国媒体的分析，这些问题主要发生在128GB版iPhone 6 Plus，可能跟三阶储存单元(Triple-Level Cell，简称TLC)NAND型快闪存储器(NAND Flash)的控制IC有关。BusinessKorea 3日报导，TLC flash是一种固态的NAND Flash，每一个快闪媒介单元都能储存3位元的资料，容量为单阶储存单元(Single-Level Cell，简称SLC)、多阶储存单元(Multi-Level Cell，简称MLC)的两到三倍之多。另外，TLC flash的价格也较为便宜。不过，TLC读取/写入资料的速度却不如SLC或MLC。

坊间传言，此次苹果为了节省成本而在128GB iPhone 6 Plus与部份机种运用了TLC NAND Flash。在此之前，TLC NAND Flash都只用在部分iPad，而较为昂贵、但稳定度高的MLC NAND Flash则应用于大多数的iPhone。

部分业界人士认为，倘若TLC Flash真的是iPhone 6 Plus系统崩溃的主因，那么苹果也许会召回已经出售的所有产品。 至截稿前，苹果尚未回应相关报导，也尚未宣布任何iPhone召回计划。

那么NAND内存芯片控制IC到底是做什么用的呢？

据集微网所知，这颗内存控制IC是担任电子装置与NAND快闪存储器之间的沟通桥梁，负责中介、控制的角色，能够实现数据的顺利存取。此外，它还能提升数据的存取速度、加强除错能力，延长NAND芯片的寿命。NAND内存芯片控制IC并非昂贵的零组件，成本甚至仅iPhone新机价格的千分之一。但如若少了它，你想拍下美美的照片存起来，或想下载影片至手机里，都将成为空谈，它的重要性可想而知。

根据iFixit拆解报告显示iPhone 6 Plus采用的SK Hynix海力士的NAND Flash，按照苹果封闭式NAND控制IC策略，苹果NAND Flash控制IC可能由韩国SK Hynix海力士NAND芯片厂提供，或由苹果自行设计。由于此次可能因NAND控制IC出错导致128GB容量的iPhone 6 Plus系统崩溃，苹果可能会转变NAND控制IC策略，改为外购，为台湾群联等业者增添新一轮的转单可能。

目前为止，遇到问题的用户发现了几个共通点，即128GB iPhone 6 Plus是最容易受到影响的机种、用户安装的应用程式数量超过700款，且系统未与使用者互动便即崩溃。部份网友认为是硬件有瑕疵，因为苹果最近发布的iOS 8.1系统更新并未解决这个问题，其他人则把一切麻烦怪到软件头上。

这一问题对于iPhone来说属于首次出现，因为之iPhone使用的是MLC NAND 闪存，遇到这些问题的用户只能将手机拿到Apple Store并更换新机。

最新来自苹果内部的消息人士声称，召回计划完全是虚假的。苹果官方支持论坛上关于崩溃的帖子只有159个回复，其中很多来自同一个人。这些用户通常安装了500或1000个应用，消息称苹果已经了解问题，推测该问题与闪存有关并不准确。

据iFixit拆解报告显示iPhone 6 Plus采用海力士H2JTDG8UD1BMS，集微网小编查到的规格表中并未明确指明其是TLC还是MLC，只归类为E2NAND 3.0，而在TECHINSIGHTS所查，海力士H2JTDG8UD1BMS是16 nm NAND MLC Flash Memory，目前能够确定的消息是iPhone 6 plus采用的NAND存储器是MLC而不是TLC。